進歩性　設計的事項 - hanreimatome

進歩性　設計的事項

判例No.3 平成２６年（ワ）第８９０５号特許権侵害差止等請求事件について

※以下は、この判決についての独自の見解です。

※以下において、「」内は、上記の判決文からの引用であり、『』は、特許庁の審査基準からの引用です。

本件発明の進歩性が否定されなかったのは、次の理由によります。

　理由：相違点に係る構成は、設計的事項とはいえない。

（１）本件発明のポイント

特徴：第一のｎ型層に接して、第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３を活性層側に形成する（具体的には下記の請求項２）。

作用効果：第一のｎ型層から供給される電子が電子キャリア濃度の大きい第二のｎ型層中を通って均一に広がることにより、活性層を均一に発光させる。また、電子がキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３を通って流れるので、発光素子の順方向電圧Ｖｆを低下させることができる。

「【請求項２】

　基板上にｎ型層，活性層，ｐ型層が積層された構造を備え，該ｐ型層上と，該ｎ型層が一部露出された表面に，それぞれ正電極と負電極が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，

　前記ｎ型層中に，第一のｎ型層と，第一のｎ型層に接して，第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と，を有すると共に，

　前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」

（２）相違点

　本件発明では、「前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域において，前記第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層と，該第一のｎ型層の基板側に設けられた前記第二のｎ型層と，を有する」のに対し，主引用文献では、そのようになっていない。

（３）進歩性の判断

　上記相違点に係る構成、すなわち、第二のｎ型層ではなく第一のｎ型層に電極形成用の露出表面を形成することは、設計的事項にすぎないとはいえない。

　設計的事項について、特許庁の審査基準では『一定の課題を解決するための技術の具体的適用に伴う設計変更や設計的事項の採用』と記載されており、その理由として、同審査基準において『当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないからである』と記載されています。

　本件発明では、上記相違点に係る構成は、「エッチングを第二のｎ型層３３で止めることが生産技術上困難である」という課題を解決するために採用されている。この課題は、副引用例には何ら記載されていない。

したがって、上記相違点に係る構成は設計的事項ではないといえる。

（４）実務上の指針

　以下の状況を想定する。

　想定状況：対象の発明（例えば権利化しようとする発明）における特定の構成が、どの引用文献にも記載されていないので、引用文献との相違点となっている。しかし、この構成が単なる設計事項であるとして、対象の発明の進歩性が否定されそうになっている。

　この想定状況で、可能であれば、対象の発明の進歩性を次のように主張する。

　主張：相違点となっている構成は、従来技術に示されていない課題を解決するものであるので、設計的事項ではない。

　これにより進歩性が認められやすくなる。

弁理士　野村俊博